Siへの加工
Siはバンドギャップ1.1eVとYAGレーザー基本波でも加工が簡単に行える材料だが、熱影響に非常に敏感な材料であり、エネルギーの投入量により加工痕が変わるのがよく分かる材料です。今回はエネルギーの違いがどう影響しているかを観察するために1パルスでの加工を行いました。
照射条件はそれぞれ
[図7] 0.1mJ/パルス 繰り返し周波数1Hz
[図8] 0.02mJ/パルス 繰り返し周波数1Hz
となっています。
加工径はそれぞれ約φ30μmとなっています。
[図7]は加工痕に溶融飛散物が見られます。これは加工中にミルククラン状飛び出した材料が冷え固まったものと思われます。飛散を起こしてしまうほどエネルギーを投入していると言うことは、パルスエネルギーが高いと考え次にパルスエネルギーを十分下げて加工を行いました。
それが[図8]です。パルスエネルギーを低くした分加工深さも変化していますが溶融物の飛散跡は全く無く、溶融物は円周上に均一になっており、マーキングのためのディンプルとしては非常に品質良く加工が行われています。
UV固体レーザーでのアブレーション加工でも繰り返しエネルギーを投入するとデブリの発生が増加し加工品質が悪くなってしまいます。[図7]は[図8]の条件でSiに貫通穴があくまで加工を行った写真です。繰り返しは200Hzです。以上の加工の様子をスペシャルムービーでご覧いただけます。基板はベアSiのt=625μmです。繰り返し周波数200Hzですが加工は瞬間的に終わってしまいます。
|